Suchergebnis

• Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung Strähle, Silvia Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1996

• Optisch steuerbare monolithisch integrierte Hochfrequenzoszillatoren auf der Basis von GaAs-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren Bangert, Axel Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1994